产品名称：CVD培育钻石设备
产品型号：CY-MPCVD
供货厂商：浩逸科学仪器
CVD培育钻石设备介绍：
CVD培育钻石是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的多结晶钻石，它的化学成分为碳，运用先进的设备模拟大自然中钻石生长环境，通过化学气象沉积技术（CVD）栽种而成
CY-MPCVD CVD培育钻石设备
CVD培育钻石是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的多结晶钻石，它的化学成分为碳，运用先进的设备模拟大自然中钻石生长环境，通过化学气象沉积技术（CVD）栽种而成.
MPCVD单晶金刚石沉积设备
适合的应用:
化学气相沉积法制备高品质单晶金刚石
化学气相沉积法制备高品质多晶金刚石自支撑厚膜
化学气相沉积法制备高品质多晶金刚石薄膜
化学气相沉积法制备石墨烯、碳纳米管、富勒烯和金刚石膜等各种碳纳米薄膜
产品特点：
本产品为不锈钢腔体式6kw微波等离子体设备，功率密度高；
水冷式基片台和水冷式金属反映腔，保证系统能长时间稳定工作；
基片温度以微波等离子体自加热方式达到；
真空测量仪表采用全量程真空计，可**测量本底真空和工作气体压强；
真空泵及阀门采用涡轮分子泵(极限真空为1×10-5Pa)和旋片式机械真空泵(极限真空为1Pa)，系统可自动控制沉积气压；
配备冷却水循环系统，确保装置高功率下可长时间**稳定运行；
系统带15寸触摸屏，PLC自动控制，可设置温度或气压恒定，可保存复用多达20套工艺文件；
全自动工艺控制模块，可以稳定可靠地制备高品质金刚石薄膜和晶体
技术指标与特性：
微波系统（法国Sairem 微波源） | 微波频率 | 2450±25MHz |
输出功率 | 0.6kw~6kw 连续可调 | |
微波调谐 | 三销钉调配器，模式转换天线 | |
微波反射保护 | 环形器，水负载 | |
微波工作模式 | TM013 | |
微波泄漏 | ≤ 2 mw/cm2 | |
真空系统 | 工作气压范围 | 10~250Torr |
自动稳压范围 | 40~250Torr | |
真空泵 | 4.4L/s 旋片式真空泵 | |
系统漏率 | <1.0x10-9 Pa・m3 /秒 (通过氦质谱检漏仪检测) | |
腔体保压能力 | 每24 小时压升小于0.2 乇 | |
本底极限真空 | 0.1Pa（7.5 x10-4 Torr) | |
真空测量 | 品牌薄膜规 | |
真空反应腔 | 反应腔材料及结构 | 双层水冷不锈钢反应腔 |
真空密封 | 金属密封+氟胶圈密封(取样门) | |
反应腔内径 | 直径140mm | |
样品台窗口 | 105x50mm 长方形端口，带O 形氟橡胶圈密封的前门 | |
观察窗口 | 两个端口，CF35 大口径，180°分布 | |
测温窗口 | 两个窗口水平角度25~30°，180°分布；窗口方便从反应腔上部的 斜角向下检测样品台的温度 | |
样品台 | 电动升降式水冷基片台 直径100mm，高度可调范围0～70mm | |
钼基片台直径≥50mm，在5000w, 180Torr 工作状态，等离子体火球可覆盖 整个基片台 | ||
基片台温度 250～1400℃（取决于工艺参数） | ||
气路 | 选用日本进口流量计及流量控制阀 | |
系统自带四路MFC | ||
四路MFC *大流速：H2: 1000sccm，CH4：100sccm，O2：20sccm，N2：2sccm | ||
测温系统 | 德国Raytek 红外测温系统，测温范围：300~1300 摄氏度 | |
系统软件 | 配置PLC 控制的15“触摸显示屏，用户操作界面友好，所有操作均可在触摸 屏上完成 | |
系统支持工程师和操作员两个用户级别，提供用户权限管理功能 | ||
系统自带缺水，缺气，电源缺相，火球跳变，过温过载，打火等自动保护 | ||
可设置多达10 套工艺配方，每套配方有40 行数据，生产流程通过工艺配方自 动控制，工艺数据可通过U 盘备份导出 | ||
系统自带全自动抽气，点火，升温，降温等预设流程，用户操作简便 | ||
全自动温度控制，气压控制，极大减轻系统操作员的工作量 | ||
