产品名称:卤素灯RTP立式快速退火炉
产品型号:〓〓
供货厂商:浩逸科学仪器
卤素灯RTP立式快速退火炉介绍:
卤素灯RTP立式快速退火炉是一款8寸片快速退火炉,采用革新的加热技术,可实现真正的基底温度测量,不需要采用传统快速退火炉的温度补偿,温度控制**,温度重复性高,客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队,是半导体制程退火工艺的理想选择
〓〓 卤素灯RTP立式快速退火炉
卤素灯RTP立式快速退火炉是一款8寸片快速退火炉,采用革新的加热技术,可实现真正的基底温度测量,不需要采用传统快速退火炉的温度补偿,温度控制**,温度重复性高,客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队,是半导体制程退火工艺的理想选择。

卤素灯RTP立式快速退火炉技术参数:
基片尺寸 | 8英寸 |
基片基座 | 石英针(可选配SiC涂层石墨基座) |
温度范围 | 150-1250℃ |
加热速率 | 10-150℃/S |
温度均匀性 | ≤±1.5% (@800℃,Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃,Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
温度控制精度 | ≤ ±3℃ |
温度重复性 | ≤ ±3℃ |
真空度 | 5.0E-3Torr / 5.0E-6 Torr |
气路供应 | 标准1路N2吹扫及冷却气路,由MFC控制(*多可选3路) |
退火持续时间 | ≥35min@1250℃ |
温度控制 | 快速数字PID控制 |
尺寸 | 900mm*650mm*1600mm |







