产品名称：PLD脉冲激光溅射沉积设备
产品型号：CY-PLD-450
供货厂商：浩逸科学仪器
PLD脉冲激光溅射沉积设备介绍：
该PLD脉冲激光溅射沉积设备系列设备主要用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料，尤其适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。
CY-PLD-450 PLD脉冲激光溅射沉积设备
该PLD脉冲激光溅射沉积设备系列设备主要用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料，尤其适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。
二、设备概述
该设备按外观结构可分为五部分：PLD沉积室、真空测量系统、真空获得系统、工作台、电控柜组成。
2.1 PLD沉积室
球型真空室结构，尺寸Φ450mm，选用1Cr18Ni9Ti不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面喷玻璃丸亚光处理。真空漏率小于5.0×10-8Pa.I/S。接口密封采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封，真空室下方为Φ220的圆筒，安装到工作台面上。下方连接CF150刀口法兰，连接CF150手动插板阀。连接CF150旁抽管组件，连接620分子泵系统。真空室前方，有一带观察窗胶圈密封门，通径Φ150mm，用于进出样品及靶材更换维护。观察窗的左侧，安装旋转靶台。旋转靶台的正对面，安装样品加热台。与旋转靶台在同一水平面上，成135°角，布置两个通径Φ100mm的入射观察窗。配有红外，紫外石英各一块。在真空室上方，留有通径Φ100mm的操作，试验观察窗两个。并有CF35备用法兰口两个，用于设备的升级。真空室体安装电阻规，电离规，KF40手动予抽角阀，Φ10手动放气阀，CF35烘烤照明电极。
2.1.1 旋转靶台
1、每次可以装四块靶材，靶材尺寸：（i）Φ60mm~Φ25mm； 2、每块靶材可实现自转，转速5-50转/分，连续可调，由步进电机驱动磁力耦合机构控制； 3、靶位公转换位机构，由步进电机驱动磁耦合机构控制； 4、靶材屏蔽罩将三块靶材屏蔽，每次只有一个靶材露出溅射成膜，以避免靶材之间的交叉污染。 2.1.2 样品加热台组件 1、衬底尺寸：Φ60mm，可放置Φ10mm—Φ60mm样品，采用机械固定方式，通过更换衬底盖更换； 2、样品加热，*高温度800℃±1℃；由热电偶闭环反馈控制；（如做氧化物研究可特殊制作加热器） 3、衬底可连续回转，转速5~50转/分，步进电机驱动转轴机构完成； 4、靶与衬底之间距离可调20-80mm，由移动衬底腔外手动波纹管调节机构完成； 2.1.3 窗口配件 1、Φ100mm石英玻璃窗口（248nm紫外波段，供激光入射用的） 2、Φ100mm石英玻璃窗口（红外波段） 3、Φ100mm光学玻璃窗口 2.1.4真空获得系统 配置KYKY-160/620分子泵1台， 配置2XZ-8B机械泵1台， 配置Ф40波纹管管路4根。 配置放气阀1只， 配置KF40带放气电磁真空角阀2只， 配置KF40带充气电磁真空角阀1只， 配置CF150手动插板阀1只， 配置CF35手动角阀2只， 配置分子筛一套 2.1.5真空气路 配置七星华创26C质量流量计两路，N2气标定。100 SCCM。通过混气罐，通过手动角阀进入。 2.1.6 真空测量系统 真空测量系统由测量规管和真空计组成。该机配有直插式电阻规、金属电离规。测量真空度大气~2X10-5Pa。 2.1.7 工作台 工作台由机架、围板组成。机架是该设备的骨架，安装着支撑部件。内部安装气路，水排等部件。 2.1.8 电控柜 电控柜上安装有触摸屏控制单元，流量显示仪，基片加热电源，电离电源，620L分子泵电源、总电源六部分组成。 1.真空控制单元由PLC+触摸屏控制，控制真空获得系统，样品旋转运动过程和照明系统。PLC为韩国LG产品，触屏屏为北京昆仑通泰产品，7寸彩屏。 2.基片及有机加热控制电源由导电SR3表组成。 控温精度±0.5℃。*高加热温度800℃。 3.流量显示仪一带二，北京七星华创。 4. 电离电源用于对基片的清洗，3KW/1KW。 5. FF160/620分子泵电源控制分子泵的启停和运转情况。 6.*下面为总电源区箱，当空气开关合闸时，设备整体上电。带有相序报警。 三、主要技术参数: PLD沉积室极限真空度：优于5x10－5Pa PLD沉积室抽速：40分钟优于7x10－4Pa PLD沉积室保压：12小时<10Pa 基片加热：800℃，控温精度: ±0.5℃ 基片运动速度：5~50转/分 靶位：4位。 基片尺寸：Φ60一片。 四、运行环境 供电：～380V三相五线制供电系统，功率<7KW 冷却水:循环量>15L/Min，冷却水温度15℃～30℃。制冷量>600W。（建议采用去离子水，独立水箱） 工作环境温度：10℃～40℃。工作环境湿度：30%~60% 占地空间：2000X2500mm 该PLD脉冲激光溅射沉积设备系列设备主要用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料，尤其适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。
